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NTMFS4935NCT1G

1个N沟道耐压:30V 电流:93A

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品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: NTMFS4935NCT1G
商品编号: C900276
商品封装: SO-8-FL-5.8mm
包装方式: 编带
商品毛重: 0.171克(g)

商品参数

商品概述

UniFET™ MOSFET 是一款基于平面条纹和双极结型晶体管（DMOS）技术的高电压 MOSFET 系列。该 MOSFET 旨在降低导通电阻，并提供更出色的开关性能和更高的雪崩能量强度。该器件系列适用于诸如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX 和电子灯镇流器等开关电源转换应用。

商品特性

漏源导通电阻RDS(on)的最大值为69 mΩ，条件为栅源电压VGS = 10 V，漏极电流ID = 22
低栅极电荷（典型值47 nC）
低反向传输电容Crss（典型值60 pF） ppliction：

应用领域

PDP 电视
照明设备
不间断电源
交流-直流电源

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	93A
	导通电阻(RDS(on))	2.7mΩ@10V,30A
	耗散功率(Pd)	48W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	1.63V
	栅极电荷量(Qg)	22nC@4.5V
	输入电容(Ciss)	3.579nF@15V
	反向传输电容(Crss)	39pF@15V
	工作温度	-55℃~+150℃@(Tj)