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NTMFD6H840NLT1G
2个N沟道 耐压:80V 电流:74A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFD6H840NLT1G
- 商品编号
- C900256
- 商品封装
- DFN-8(4.9x5.9)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 74A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 2.002nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 小尺寸封装(5x6 mm),适用于紧凑设计
- 低 RDS(on),以最小化传导损耗
- 低 QG 和电容,以最小化驱动器损耗
- 这些器件为无铅产品,符合 RoHS 标准
应用领域
- 汽车车载充电器
- 电动汽车/混合动力汽车的汽车直流 - 直流转换器
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