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NTMFD6H852NLT1G实物图
  • NTMFD6H852NLT1G商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NTMFD6H852NLT1G

2个N沟道 耐压:80V 电流:25A

品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NTMFD6H852NLT1G
商品编号
C900258
商品封装
DFN-8(4.9x5.9)​
包装方式
编带
商品毛重
0.171克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)25A
导通电阻(RDS(on))21mΩ@10V
耗散功率(Pd)38W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)5nC@4.5V
输入电容(Ciss)521pF
反向传输电容(Crss)4pF
工作温度-55℃~+175℃

商品特性

  • 小尺寸封装(5x6 mm),适合紧凑设计
  • 低导通电阻RDS(on),可将传导损耗降至最低
  • 低栅极电荷QG和电容,可将驱动损耗降至最低
  • 这些器件为无铅产品,符合RoHS标准

应用领域

  • 电动工具、电池供电吸尘器
  • 无人机、物料搬运设备
  • 电池管理系统/储能、家庭自动化

数据手册PDF