NTMFS016N06CT1G
1个N沟道 耐压:60V 电流:33A
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- 描述
- 特性:小尺寸封装(5x6 mm),适合紧凑设计。 低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗。 低栅极电荷QG和电容,以最小化驱动损耗。 这些器件为无铅、无卤/无溴化阻燃剂,且符合RoHS标准。应用:电动工具,电池供电的真空吸尘器。 无人机
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS016N06CT1G
- 商品编号
- C900260
- 商品封装
- SO-8-FL-5.9mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 33A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 36W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@25uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 489pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 319pF |
优惠活动
购买数量
(1500个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个1500个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交4单
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