温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTMFS0D55N03CGT1G
1个N沟道 耐压:30V 电流:462A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 特性：宽安全工作区（SOA），改善浪涌电流管理。 先进封装（5x6mm），具有出色的热传导性。 超低导通电阻RDS(on)，提高系统效率。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：热插拔应用。 功率负载开关
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS0D55N03CGT1G
- 商品编号
- C900263
- 商品封装
- SO-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 462A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 199W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 173nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 14.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 宽安全工作区(SOA),改善浪涌电流管理
- 先进封装(5x6mm),导热性能出色
- 超低导通电阻(RDS(on)),提高系统效率
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),符合RoHS标准
应用领域
-热插拔应用-功率负载开关-电池管理与保护
相似推荐
其他推荐
- NTMFS0D8N02P1ET1G
- NTMFS0D9N03CGT1G
- NTMFS1D15N03CGT1G
- NTMFS3D6N10MCLT1G
- NTMFS4833NAT1G
- NTMFS4834NT1G
- NTMFS4841NHT1G
- NTMFS4935NCT1G
- NTMFS4935NT1G
- NTMFS4937NCT1G
- NTMFS4939NT1G
- NTMFS4946NT1G
- NTMFS4C06NAT1G
- NTMFS4C09NAT1G
- NTMFS4C13NT1G
- NTMFS4C290NT1G
- NTMFS4C35NT1G
- NTMFS4C59NT1G
- NTMFS5113PLT1G
- NTMFS5832NLT1G
- NTMFS5C404NLTT1G