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NTMFS0D55N03CGT1G
1个N沟道 耐压:30V 电流:462A
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- 描述
- 特性：宽安全工作区（SOA），改善浪涌电流管理。 先进封装（5x6mm），具有出色的热传导性。 超低导通电阻RDS(on)，提高系统效率。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：热插拔应用。 功率负载开关
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS0D55N03CGT1G
- 商品编号
- C900263
- 商品封装
- SO-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 462A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.5mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 199W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 173nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 14.5nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
优惠活动
购买数量
(1500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1500个/圆盘
总价金额：
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