温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTMFS015N10MCLT1G
1个N沟道 耐压:100V 电流:54A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：小尺寸封装（5x6 mm），适合紧凑设计。 低RθJC，以减少传导损耗。 低QG和电容，以减少驱动损耗。 适用于初级DC-DC MOSFET。 适用于DC-DC和AC-DC中的同步整流器。 适用于电机驱动。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS015N10MCLT1G
- 商品编号
- C900259
- 商品封装
- SO-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 54A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 79W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.338nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关式DC/DC转换器、开关电源、不间断电源的DC-AC转换器以及电机控制。
商品特性
- 小尺寸封装(5x6 mm),适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on),以减少传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容,以减少驱动损耗
- 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准
应用领域
-主DC-DC MOSFET-DC-DC和AC-DC中的同步整流器-电机驱动
相似推荐
其他推荐
- NTMFS016N06CT1G
- NTMFS020N06CT1G
- NTMFS024N06CT1G
- NTMFS0D55N03CGT1G
- NTMFS0D8N02P1ET1G
- NTMFS0D9N03CGT1G
- NTMFS1D15N03CGT1G
- NTMFS3D6N10MCLT1G
- NTMFS4833NAT1G
- NTMFS4834NT1G
- NTMFS4841NHT1G
- NTMFS4935NCT1G
- NTMFS4935NT1G
- NTMFS4937NCT1G
- NTMFS4939NT1G
- NTMFS4946NT1G
- NTMFS4C06NAT1G
- NTMFS4C09NAT1G
- NTMFS4C13NT1G
- NTMFS4C290NT1G
- NTMFS4C35NT1G