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NTMFS015N10MCLT1G
1个N沟道 耐压:100V 电流:54A
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- 描述
- 特性：小尺寸封装（5x6 mm），适合紧凑设计。 低RθJC，以减少传导损耗。 低QG和电容，以减少驱动损耗。 适用于初级DC-DC MOSFET。 适用于DC-DC和AC-DC中的同步整流器。 适用于电机驱动。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS015N10MCLT1G
- 商品编号
- C900259
- 商品封装
- SO-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 54A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.2mΩ@10V,14A | |
| 耗散功率(Pd) | 79W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.338nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
优惠活动
购买数量
(1500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交12单
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