温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SFP9530
商品参数
参数完善中
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
商品特性
- 雪崩耐用技术
- 坚固栅极氧化层技术
- 更低的输入电容
- 改进的栅极电荷
- 175°C工作温度
- 扩展的安全工作区
- 更低的漏电流:-10 μA(最大值)@ VDS = -100V
- 低RDS(ON):0.225 Ω(典型值)
应用领域
- 开关模式电源-音频放大器-直流电机控制-可变开关电源应用
相似推荐
其他推荐
- NTMFD016N06CT1G
- NTMFD020N06CT1G
- NTMFD024N06CT1G
- NTMFD030N06CT1G
- NTMFD4952NFT1G
- NTMFD4952NFT3G
- NTMFD4C50NT1G
- NTMFD5875NLT1G
- NTMFD5C446NLT1G
- NTMFD5C466NLT1G
- NTMFD5C466NT1G
- NTMFD5C650NLT1G
- NTMFD6H840NLT1G
- NTMFD6H846NLT1G
- NTMFD6H852NLT1G
- NTMFS015N10MCLT1G
- NTMFS016N06CT1G
- NTMFS020N06CT1G
- NTMFS024N06CT1G
- NTMFS0D55N03CGT1G
- NTMFS0D8N02P1ET1G