- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SSVPZT751T1G
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 2A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 800mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 40；75 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 75MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 500mV；300mV | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 数量 | 1个PNP |
商品概述
这款PNP硅外延晶体管专为工业和消费应用而设计。该器件采用SOT - 223封装，适用于中功率表面贴装应用。
商品特性
- 高电流
- SOT - 223封装可采用波峰焊或回流焊。
- SOT - 223封装确保水平安装，从而改善热传导，并允许对焊点进行目视检查。成型引脚可在焊接过程中吸收热应力，消除芯片受损的可能性。
- NPN互补型号为PZT651T1G
- 以S为前缀的产品适用于汽车及其他有特殊产地和控制变更要求的应用；符合AEC - Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），且符合RoHS标准
应用领域
- 工业应用
- 消费应用