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NTMFD020N06CT1G
1个N沟道 耐压:60V 电流:27A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFD020N06CT1G
- 商品编号
- C900242
- 商品封装
- SO-8FL-EP-4.9mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 27A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 355pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
商品特性
- 小尺寸封装(5x6 mm),适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容,以最小化驱动损耗
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准
应用领域
- 电动工具、电池供电吸尘器
- 无人机、物料搬运
- 电池管理系统/储能、家庭自动化
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