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FQPF7P20
1个P沟道 耐压:200V 电流:5.2A
- 描述
- 此 P 沟道增强型功率 MOSFET 使用安森美半导体的平面条纹和 DMOS 专属工艺生产。此先进 MOSFET 工艺适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQPF7P20
- 商品编号
- C899400
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.21克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 690mΩ@10V,2.6A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 770pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
商品特性
- 13 A、500 V，RDS(on) = 540 mΩ（最大值），@ VGS = 10 V、ID = 6.5 A
- 低栅极电荷（典型值43 nC）
- 低Crss（典型值20 pF）
- 100%雪崩测试
- 快速恢复体二极管（典型值100 ns）
应用领域
- 开关模式电源-有源功率因数校正(PFC)-电子灯镇流器
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