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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - |
商品特性
- RDS(导通) = 1.38Ω（典型值）@VGS = 10V，ID = 2.25A
- 低栅极电荷（典型值9 nC）
- 低C_RSS（典型值4 pF）
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 改善的ESD能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- LCD/LED电视
- 照明
- 不间断电源
- AC - DC电源
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