温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PCP1302-TD-H
P沟道功率MOSFET，低导通电阻，4V驱动，无卤，内置保护二极管
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- PCP1302-TD-H
- 商品编号
- C899996
- 商品封装
- SOT-89-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.268克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.4nC | |
| 输入电容(Ciss) | 262pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 29pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 导通电阻RDS(on) 1 = 200 m Ω(典型值),4V驱动
- 符合无卤标准
- 内置保护二极管
应用领域
- LCD/LED电视
- 照明
- 不间断电源
- AC - DC电源
- PCP1403-TD-H
- NTMFD016N06CT1G
- NTMFD020N06CT1G
- NTMFD024N06CT1G
- NTMFD030N06CT1G
- NTMFD4952NFT3G
- NTMFD4C50NT1G
- NTMFD5875NLT1G
- NTMFD5C446NLT1G
- NTMFD5C466NLT1G
- NTMFD5C466NT1G
- NTMFD5C650NLT1G
- NTMFD6H840NLT1G
- NTMFD6H846NLT1G
- NTMFD6H852NLT1G
- NTMFS015N10MCLT1G
- NTMFS016N06CT1G
- NTMFS020N06CT1G
- NTMFS024N06CT1G
- NTMFS0D55N03CGT1G
- NTMFS0D8N02P1ET1G