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NTPF360N80S3Z

1个N沟道耐压:800V 电流:13A

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描述: 800 V SUPERFET III MOSFET 提供 800 V 击穿电压。新的 800 V SUPERFET III MOSFET 针对反激式转换器的初级开关进行了优化，由于其优化设计，可在不牺牲 EMI 性能的情况下降低开关损耗和外壳温度。此外，内部齐纳二极管显著提高了 ESD 能力。这个新的 800 V SUPERFET III MOSFET 系列因其在开关电源应用（如笔记本电脑适配器、音频、照明、ATX 电源和工业电源）中的卓越性能，能够实现更高效、紧凑、低温和更可靠的应用。
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: NTPF360N80S3Z
商品编号: C899991
商品封装: TO-220F
包装方式: 管装
商品毛重: 2.44克(g)

商品参数

商品概述

UniFET™ MOSFET基于平面条纹和DMOS技术。这款MOSFET专为降低导通电阻、提供更优的开关性能和更高的雪崩能量强度而设计。UniFET Ultra FRFET™ MOSFET具有卓越的体二极管反向恢复性能。其反向恢复时间（trr）小于50纳秒，反向dv/dt抗扰度为20 V/纳秒，而普通平面MOSFET的反向恢复时间和反向dv/dt抗扰度分别超过200纳秒和4.5 V/纳秒。因此，在某些需要改善MOSFET体二极管性能的应用中，UniFET Ultra FRFET MOSFET可省去额外元件并提高系统可靠性。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示（FPD）电视电源、ATX电源和电子灯镇流器。

商品特性

栅源电压（VGS）= 10 V、漏极电流（ID）= 2.5 A时，漏源导通电阻（RDS(on)）= 1.5 Ω（最大值）
低栅极电荷（典型值12.8 nC）
低反向传输电容（Crss）（典型值9 pF）
100%雪崩测试
改善的dv/dt能力

应用领域

-LCD/LED电视-照明-不间断电源-交直流电源

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	800V
	连续漏极电流(Id)	13A
	导通电阻(RDS(on))	300mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	31W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	3.8V
	栅极电荷量(Qg)	25.3nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.143nF@400V
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-55℃~+150℃