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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 620mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 120W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.18nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
UniFET II MOSFET是仙童半导体基于先进的平面条纹和DMOS技术推出的高压MOSFET系列产品。该先进的MOSFET系列在平面MOSFET中具有最小的导通电阻，同时还具备出色的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外，内部栅源ESD二极管使UniFET II MOSFET能够承受超过2kV的HBM浪涌应力。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX电源和电子灯镇流器。
商品特性
- -9.4 A,-250 V,RDS(on) = 0.62 Ω(最大值)@VGS = -10 V,ID = -4.7 A
- 低栅极电荷(典型值29 nC)
- 低Crss(典型值27 pF)
- 100%雪崩测试
应用领域
-LCD/LED电视-不间断电源-照明-交流-直流电源