温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.1Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 85W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 680pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
商品特性
- -3.5 A,-400 V,RDS(on) = 3.1 Ω(最大值)@ VGS = -10 V,ID = -1.75 A
- 低栅极电荷(典型值18 nC)
- 低Crss(典型值11 pF)
- 100%经过雪崩测试
应用领域
-开关模式电源-音频放大器-直流电机控制-可变开关电源应用