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FQP65N06
商品参数
参数完善中
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计,可降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
商品特性
- 65 A、60 V,RDS(on) = 16 mΩ(最大值)@ VGS = 10 V,ID = 32.5 A
- 低栅极电荷(典型值48 nC)
- 低Crss(典型值100 pF)
- 100%经过雪崩测试
- 最高结温额定值175°C
应用领域
-开关模式电源-音频放大器-直流电机控制-可变开关电源应用