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FQP55N10
1个N沟道 耐压:100V 电流:55A
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- 描述
- 这是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用专有平面条纹和DMOS技术。该先进MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQP55N10
- 商品编号
- C899378
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 155W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 98nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.73nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 170pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条纹和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
商品特性
- 55 A、100 V,RDS(on) = 26 mΩ(最大值)@ VGS = 10 V,ID = 27.5 A
- 低栅极电荷(典型值75 nC)
- 低Crss(典型值130 pF)
- 100%经过雪崩测试
- 最高结温额定值为175°C
应用领域
- 开关模式电源
- 音频放大器
- 直流电机控制
- 可变开关电源应用