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FQI8N60CTU
1个N沟道 耐压:600V 电流:7.5A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQI8N60CTU
- 商品编号
- C899367
- 商品封装
- I2PAK(TO-262)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.27克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3.13W；147W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.255nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
UniFET™ MOSFET是基于平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。这款MOSFET专为降低导通电阻而设计，能提供更优的开关性能和更高的雪崩能量强度。通过寿命控制，UniFET FRFET®的体二极管反向恢复性能得到了增强。其trr小于100纳秒，反向dv/dt抗扰度为15V/ns，而普通平面MOSFET的trr超过200纳秒，反向dv/dt抗扰度为4.5V/ns。因此，在MOSFET体二极管性能至关重要的某些应用中，它可以省去额外的元件并提高系统可靠性。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示（FPD）电视电源、ATX和电子灯镇流器。
商品特性
- 7.5 A、600 V,VGS = 10 V、ID = 3.75 A 时,RDS(on) = 1.2 Ω(最大值)
- 低栅极电荷(典型值 28 nC)
- 低 Crss(典型值 12 pF)
- 100% 雪崩测试
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- LCD/LED电视
- 消费电器
- 照明
- 不间断电源
- 交流 - 直流电源