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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 300V | |
| 连续漏极电流(Id) | 21A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 170W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@240V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SuperFET II MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和较低栅极电荷性能。该技术旨在最大程度降低传导损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET非常适用于开关电源应用，如音频、笔记本电脑适配器、照明、ATX电源和工业电源应用。
商品特性
- 21 A、300 V,RDS(on) = 160 mΩ(最大值)@ VGS = 10 V,ID = 10.5 A
- 低栅极电荷(典型值47 nC)
- 低Crss(典型值40 pF)
- 100%经过雪崩测试
应用领域
-开关模式电源-有源功率因数校正(PFC)-电子灯镇流器