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FQP12N60C
1个N沟道 耐压:600V 电流:12A
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- 描述
- 这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用专有平面条纹DMOS技术生产。这种先进技术经过特别设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯镇流器。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQP12N60C
- 商品编号
- C899368
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 650mΩ@10V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | 225W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@400V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.29nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
商品特性
- 4.5 A、600 V，RDS(导通)=2.5 Ω（最大值）@VGS = 10 V，ID = 2.1 A
- 低栅极电荷（典型值15 nC）
- 低Crss（典型值6.5 pF）
- 100%雪崩测试
应用领域
- 开关模式电源
- 有源功率因数校正（PFC）
- 电子灯镇流器