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FQP15P12
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
商品概述
这些逻辑电平N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺经过特殊设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件特别适用于低压应用，如汽车、DC/DC转换器、PWM电机控制以及其他需要快速开关、低在线功率损耗和抗瞬态干扰的电池供电电路。
商品特性
- 26 A、60 V。栅源电压（VGS） = 5 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 0.05 Ω；栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 0.035 Ω。
- 规定了高温下的关键直流电气参数。
- 坚固的内部源漏二极管可无需外部齐纳二极管瞬态抑制器。
- 最高结温额定值为175°C。
- 高密度单元设计，实现极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）。
- 提供TO - 220和TO - 263（D²PAK）封装，适用于通孔和表面贴装应用。
应用领域
-汽车-DC/DC转换器-PWM电机控制-其他电池供电电路