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FQP15P12
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
商品概述
这些逻辑电平N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺经过特殊设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件特别适用于低压应用，如汽车、DC/DC转换器、PWM电机控制以及其他需要快速开关、低在线功率损耗和抗瞬态干扰的电池供电电路。
商品特性
- 15 A,-120 V,在VGS = -10 V、ID = -7.5 A时,RDS(on) = 0.2 Ω(最大值)
- 低栅极电荷(典型值29 nC)
- 低Crss(典型值110 pF)
- 100%经过雪崩测试
- 最高结温额定值175°C
应用领域
-开关模式电源-音频放大器-直流电机控制-可变开关电源应用