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FDPF5N50NZ
FDPF5N50NZ
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDPF5N50NZ
- 商品编号
- C899168
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 配置 | - |
商品概述
这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关式DC/DC转换器。
商品特性
- 7.3A、-200V，栅源电压为 -10V 时，漏源导通电阻为 0.69Ω
- 低栅极电荷（典型值 19nC）
- 低 Crss（典型值 25pF）
- 快速开关
- 100% 雪崩测试
- 改善的 dv/dt 能力
- 符合 AEC Q101 标准
- 符合 RoHS 标准