- 引脚图
- 焊盘图
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FDPF7N50U-G
FDPF7N50U-G
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDPF7N50U-G
- 商品编号
- C899176
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 720pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 95pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
UniFETTM MOSFET基于平面条纹和DMOS技术。这款MOSFET专为降低导通电阻、提供更优的开关性能和更高的雪崩能量强度而设计。UniFET Ultra FRFETTM MOSFET具有卓越的体二极管反向恢复性能。其 trr 小于50纳秒,反向dv/dt抗扰度为20V/纳秒,而普通平面MOSFET的 trr 超过200纳秒,反向dv/dt抗扰度为4.5V/纳秒。因此,在某些需要改善MOSFET体二极管性能的应用中,UniFET Ultra FRFET MOSFET可以减少额外元件并提高系统可靠性。该器件系列适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、平板显示(FPD)电视电源、ATX电源和电子灯镇流器。
商品特性
- 在 VGS= 10 V、ID = 2.5 A 时,RDS(ON)= 1.5 Ω(最大值)
- 低栅极电荷(典型值 12.8 nC)
- 低Crss(典型值9pF)
- 经过100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
-LCD/LED电视-照明-不间断电源-交流-直流电源