FDPF680N10T
1个N沟道 耐压:100V 电流:12A
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- 描述
- 该 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的 PowerTrench
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDPF680N10T
- 商品编号
- C899173
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 68mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 24W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
UniFET™ MOSFET是基于平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。该MOSFET专为降低导通电阻、提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度而设计。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX电源和电子灯镇流器。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 6 A条件下,RDS(on) = 54 mΩ(典型值)
- 开关速度快
- 栅极电荷低
- 采用高性能沟槽技术,实现极低的RDS(on)
- 具备高功率和大电流处理能力
- 符合RoHS标准
应用领域
-消费电器-LCD/LED/PDP电视-同步整流-不间断电源-微型太阳能逆变器