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FDPF4N60NZ
FDPF4N60NZ
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDPF4N60NZ
- 商品编号
- C899167
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
UniFETTM II MOSFET 是基于先进平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。该先进的 MOSFET 系列在平面 MOSFET 中具有最小的导通电阻，还具备卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外，内部栅源 ESD 二极管使 UniFET II MOSFET 能够承受超过 2kV 的 HBM 浪涌应力。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示器 (FPD) 电视电源、ATX 和电子灯镇流器。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 1.9 A条件下,RDS(on) = 1.9 Ω(典型值)
- 低栅极电荷(典型值8.3 nC)
- 低Crss(典型值3.7 pF)
- 100%经过雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 增强的ESD能力
- 符合RoHS标准
应用领域
-消费电器-照明-不间断电源-交直流电源