温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDP20N50F
1个N沟道 耐压:500V 电流:20A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。UniFET FRFET MOSFET 的体二极管的逆向恢复性能由于终生控制而得以提高。其 trr 小于 100nsec，逆向 dv/dt 抗扰度为 15V/ns，而普通 MOSFET 的这两个指标分别为 200nsec 和 4.5V/nsec 以上。因此，在 MOSFET 体二极管的性能非常重要的某些应用中，它可以消除附加组件，提高系统可靠性。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDP20N50F
- 商品编号
- C899149
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 260mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.39nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SupremeMOS MOSFET是下一代高压超级结（SJ）技术，采用与传统SJ MOSFET产品不同的深沟槽填充工艺。这项先进技术和精密的工艺控制提供了最低的Rsp导通电阻，卓越的开关性能和耐用性。SupremeMOS MOSFET产品非常适合高频开关电源转换器应用，如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源及工业电源应用。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 10 A条件下,RDS(导通) = 210 mΩ(典型值)
- 低栅极电荷(典型值50 nC)
- 低Crss(典型值27 pF)
- 100%雪崩测试
- 提高dv/dt能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- LCD/LED/PDP电视
- 照明
- 不间断电源
- 交流-直流电源