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FDP20N50F

1个N沟道 耐压:500V 电流:20A

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描述
UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻,提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。UniFET FRFET MOSFET 的体二极管的逆向恢复性能由于终生控制而得以提高。其 trr 小于 100nsec,逆向 dv/dt 抗扰度为 15V/ns,而普通 MOSFET 的这两个指标分别为 200nsec 和 4.5V/nsec 以上。因此,在 MOSFET 体二极管的性能非常重要的某些应用中,它可以消除附加组件,提高系统可靠性。此器件系列适用于开关电力转换器应用,如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FDP20N50F
商品编号
C899149
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.8克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))260mΩ@10V,10A
属性参数值
耗散功率(Pd)250W
阈值电压(Vgs(th))5V
栅极电荷量(Qg)65nC@10V
输入电容(Ciss)3.39nF@25V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

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