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FDP7N50
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 3.5 A条件下,RDS(on) = 900 m Ω(最大值)
- 低栅极电荷(典型值12.8 nC)
- 低Crss(典型值9 pF)
- 经过100%雪崩测试
应用领域
- 液晶/LED电视
- 照明
- 不间断电源
- 交直流电源应用