FDPF041N06BL1
1个N沟道 耐压:60V 电流:77A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDPF041N06BL1
- 商品编号
- C899154
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 77A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 69nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.69nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
SuperFET II MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。此外，内部栅源ESD二极管可承受超过2kV的HBM浪涌应力。因此，SuperFET II MOSFET非常适用于音频、笔记本电脑适配器、照明、ATX电源和工业电源等开关电源应用。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 77 A条件下,RDS(on) = 3.5 mΩ(典型值)
- 低品质因数RDS(on)*QG
- 低反向恢复电荷Qrr
- 软反向恢复体二极管
- 可实现同步整流的高效率
- 开关速度快
- 经过100% UIL测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-ATX/服务器/电信电源的同步整流-电池保护电路-电机驱动和不间断电源-可再生能源系统