我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单工业品PCB/SMT面板定制
FDPF17N60NT实物图
  • FDPF17N60NT商品缩略图
  • FDPF17N60NT商品缩略图
  • FDPF17N60NT商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FDPF17N60NT

1个N沟道 耐压:600V 电流:17A

品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FDPF17N60NT
商品编号
C899160
商品封装
TO-220F-3​
包装方式
管装
商品毛重
2.92克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))340mΩ@10V,8.5A
耗散功率(Pd)62.5W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))5V
栅极电荷量(Qg)65nC@10V
输入电容(Ciss)3.04nF@25V
反向传输电容(Crss)35pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

UniFET MOSFET基于平面条纹和DMOS技术。该MOSFET专为降低导通电阻、提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度而设计。该器件系列适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX和电子灯镇流器。

商品特性

  • 在VGS = 10 V、ID = 8 A条件下,RDS(on)最大为380 mΩ
  • 低栅极电荷(典型值32 nC)
  • 低Crss(典型值20 pF)
  • 100%经过雪崩测试

应用领域

  • LCD/LED/PDP电视-照明-不间断电源

数据手册PDF