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商品参数
参数完善中
商品概述
UniFETTM MOSFET基于平面条纹和DMOS技术。这款MOSFET专为降低导通电阻、提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度而设计。该器件系列适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、平板显示(FPD)电视电源、ATX电源和电子灯镇流器。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 12 A的条件下,RDS(on) = 140 mΩ(典型值)
- 低栅极电荷(典型值46 nC)
- 低Crss(典型值25 pF)
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 不间断电源
- 交流-直流电源