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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 227W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.27nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 365pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
UniFETTM MOSFET基于平面条纹和DMOS技术。这款MOSFET专为降低导通电阻、提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度而设计。该器件系列适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、平板显示(FPD)电视电源、ATX电源和电子灯镇流器。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 12 A的条件下,RDS(on) = 140 mΩ(典型值)
- 低栅极电荷(典型值46 nC)
- 低Crss(典型值25 pF)
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 不间断电源
- 交流-直流电源