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商品参数
参数完善中
商品概述
SuperFET II MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET非常适合用于诸如功率因数校正（PFC）、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源和工业电源等开关电源应用。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 12 A的条件下,RDS(on) = 140 mΩ(典型值)
- 低栅极电荷(典型值46 nC)
- 低Crss(典型值25 pF)
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 不间断电源
- 交流-直流电源