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FDP8N50NZ
1个N沟道 耐压:500V 电流:8A
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- 描述
- UniFETTM II MOSFET是基于先进平面条形和DMOS技术的高压MOSFET系列。这一先进的MOSFET系列在平面MOSFET中具有最小的导通电阻，还具备出色的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外，内部栅源ESD二极管使UniFET II MOSFET能够承受超过2 kV的人体模型（HBM）浪涌应力
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDP8N50NZ
- 商品编号
- C899153
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.7937克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 770mΩ@10V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 130W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 735pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(50个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个50个/管
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