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FDP025N06
1个N沟道 耐压:60V 电流:120A
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- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用 PowerTrench 工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDP025N06
- 商品编号
- C899143
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 395W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 226nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 14.885nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 750pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.61nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用仙童半导体(Fairchild Semiconductor)先进的PowerTrench®工艺制造,该工艺经过优化,可在保持卓越开关性能的同时,将导通电阻降至最低。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 75 A条件下,RDS(on) = 1.9 mΩ(典型值)
- 开关速度快
- 栅极电荷低
- 采用高性能沟槽技术,实现极低的RDS(on)
- 具备高功率和大电流处理能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- ATX/服务器/电信电源的同步整流
- 电池保护电路
- 电机驱动和不间断电源
- 可再生能源系统