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FDP025N06
1个N沟道 耐压:60V 电流:120A
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- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用 PowerTrench 工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDP025N06
- 商品编号
- C899143
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 395W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 226nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 14.885nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
SuperFET® II MOSFET是仙童半导体全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具有出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。SuperFET II FRFET® MOSFET将更快、更耐用的本征体二极管性能与快速开关特性相结合，旨在实现更高的可靠性和效率，尤其适用于谐振开关应用。SuperFET II FRFET非常适合开关电源应用，如服务器/电信电源、太阳能逆变器、平板电视电源、计算机电源、照明和工业电源应用。
商品特性
- 700 V @ T_J = 150°C
- 典型RDS(on) = 133 mΩ
- 超低栅极电荷（典型Q_g = 72 nC）
- 低有效输出电容（典型C_oss(eff.) = 361 pF）
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电信/服务器电源 - 太阳能逆变器
- 计算机电源 - 平板电视电源/照明