温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDP19N40
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
这款N沟道中压MOSFET采用集成了屏蔽栅技术的先进PowerTrench®工艺制造。该工艺经过优化，可将导通电阻降至最低，同时凭借同类最佳的软体二极管保持卓越的开关性能。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 9.5 A时,RDS(on) = 200 mΩ(典型值)
- 低栅极电荷(典型值32 nC)
- 低Crss(典型值20 pF)
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- 照明
- 不间断电源
- 交流-直流电源