FCPF380N60-F152
1个N沟道 耐压:600V 电流:10.2A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCPF380N60-F152
- 商品编号
- C899136
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 31W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.665nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SupreMOS® MOSFET 是采用深槽填充工艺的下一代高压超结 (SJ) 技术，使其有别于传统的 SJ MOSFET。这项先进技术和精确的工艺控制可实现极低的比导通电阻 (Rsp)、卓越的开关性能和坚固性。SupreMOS MOSFET 适用于高频开关功率转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX 电源和工业电源应用。
商品特性
- 650 V @ TJ = 150°C
- 最大RDS(on) = 380 mΩ
- 超低栅极电荷(典型值Qg = 30 nC)
- 低有效输出电容(典型值Coss.eff = 95 pF)
- 100%经过雪崩测试
应用领域
-LCD/LED/PDP电视照明-太阳能逆变器-AC-DC电源