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FCPF9N60NT实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FCPF9N60NT

FCPF9N60NT

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FCPF9N60NT
商品编号
C899141
商品封装
TO-220F-3​
包装方式
管装
商品毛重
2.68克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))-
耗散功率(Pd)29.8W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)-
工作温度-
配置-

商品概述

SupreMOS® MOSFET是采用深沟槽填充工艺的下一代高压超结(SJ)技术,使其与传统SJ MOSFET有所区别。这种先进技术和精确的工艺控制可实现极低的比导通电阻Rsp、卓越的开关性能和坚固性。SupreMOS MOSFET适用于高频开关功率转换器应用,如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源和工业电源应用。

商品特性

  • 在VGS = 10 V、ID = 4.5 A条件下,RDS(on) = 330 mΩ(典型值)
  • 超低栅极电荷(典型值Qg = 22 nC)
  • 低有效输出电容(典型值Coss(eff.) = 106 pF)
  • 经过100%雪崩测试
  • 符合RoHS标准

应用领域

-LCD/LED/PDP电视-照明-太阳能逆变器-交流-直流电源

数据手册PDF