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FDI030N06
FDI030N06
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- 描述
- 该 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的 PowerTrench
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDI030N06
- 商品编号
- C899142
- 商品封装
- TO-262-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 193A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - |
商品特性
- 在 VGS = 10 V、ID = 75 A 条件下,RDS(on) = 2.6 m Ω(典型值)
- 开关速度快
- 栅极电荷低
- 采用高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
- 具备高功率和大电流处理能力
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- ATX/服务器/电信电源的同步整流
- 电池保护电路
- 电机驱动和不间断电源
- 可再生能源系统