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FCPF2250N80Z
1个N沟道 耐压:800V 电流:3.5A
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- 描述
- SuperFET II MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET非常适用于音频、笔记本电脑适配器、照明、ATX电源和工业电源等开关电源应用
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCPF2250N80Z
- 商品编号
- C899132
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8Ω@10V,1.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 21.9W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 585pF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.75pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 小尺寸封装（5x6 mm），适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on)，以降低传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容，以降低驱动损耗
- 这些器件为无铅产品，符合RoHS标准