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FCPF16N60NT
FCPF16N60NT
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCPF16N60NT
- 商品编号
- C899126
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
SuperFET® II MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术可将传导损耗降至最低，提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。SuperFET II MOSFET适用于开关电源应用，如功率因数校正（PFC）、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源和工业电源应用。SuperFET II FRFET® MOSFET优化了体二极管反向恢复性能，可省去额外元件并提高系统可靠性。
商品特性
- 当VGS = 10 V、ID = 8 A时,RDS(on)= 170 mΩ(典型值)
- 超低栅极电荷(典型值Qa = 40.2 nC)
- 低有效输出电容(典型值Coss(eff.) = 176 pF)
- 100%经过雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- LCD/LED/PDP电视
- 照明
- 太阳能逆变器
- AC-DC电源