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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FCPF20N60

采用电荷平衡技术的低导通电阻、低栅极电荷SuperFET MOSFET,适用于开关电源应用

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FCPF20N60
商品编号
C899129
商品封装
TO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
3.37克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))150mΩ@10V
耗散功率(Pd)39W
阈值电压(Vgs(th))5V
栅极电荷量(Qg)75nC
属性参数值
输入电容(Ciss)2.37nF
反向传输电容(Crss)95pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)1.28nF
栅极电压(Vgs)±30V

商品特性

  • 在TJ = 150°C时为650 V
  • 典型RDS(导通电阻) = 150 mΩ
  • 超低栅极电荷(典型Qq = 75 nC)
  • 低有效输出电容(典型Coss(有效) = 165 pF)
  • 100%雪崩测试

应用领域

  • 太阳能逆变器
  • 交流-直流电源

数据手册PDF