温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 配置 | - |
商品特性
- 典型RDS(导通) = 80 mΩ
- 超低栅极电荷（典型QG(总) = 56 nC）
- 低有效输出电容（典型Coss = 79 pF）
- 100%雪崩测试
- 通过AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序（PPAP）文件
- 该器件无卤化物，符合RoHS指令豁免条款7a，二级互连（2LI）无铅
应用领域
- 汽车车载充电器
- 电动汽车/混合动力汽车（EV/HEV）用汽车直流-直流转换器