FCPF20N60T

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品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: FCPF20N60T
商品编号: C899130
商品封装: TO-220F
包装方式: 管装
商品毛重: 0.494克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	600V
	连续漏极电流(Id)	20A
	导通电阻(RDS(on))	150mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	39W
	阈值电压(Vgs(th))	5V
	栅极电荷量(Qg)	75nC

商品概述

这些N沟道功率MOSFET采用创新的UltraFET工艺制造。这种先进的工艺技术可在单位硅面积上实现尽可能低的导通电阻，从而带来出色的性能。该器件能够在雪崩模式下承受高能量，其二极管具有极短的反向恢复时间和极少的存储电荷。它专为对功率效率要求较高的应用而设计，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关，以及便携和电池供电产品的电源管理。

商品特性

650 V,TJ = 150°C
典型RDS(导通) = 150 mΩ
超低栅极电荷(典型Qg = 75 nC)
低有效输出电容(典型Coss(有效) = 165 pF)
100%雪崩测试

应用领域

-太阳能逆变器-交流-直流电源

数据手册PDF

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	属性	参数值
	输入电容(Ciss)	2.37nF
	反向传输电容(Crss)	95pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	配置	-
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	1.28nF
	栅极电压(Vgs)	±30V