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FCPF11N60
1个N沟道 耐压:650V 电流:11A
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- 描述
- SuperFET MOSFET采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术旨在最大程度降低传导损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET MOSFET非常适用于开关电源应用，如功率因数校正（PFC）、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源和工业电源应用
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCPF11N60
- 商品编号
- C899121
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 320mΩ@10V,5.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 36W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@480V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.49nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 82pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
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