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FCPF150N65F
N沟道 650V 24A
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- 描述
- SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。SuperFET II FRFETMOSFET 具有更快速和更耐用的本征体二极管性能和快速开关，尤其在谐振开关应用中可实现更佳可靠性和高能效。SuperFET II FRFET 非常适用于开关电源应用，如服务器/电信电源、太阳能逆变器、FPD TV 电源、计算电源、照明和工业电源应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCPF150N65F
- 商品编号
- C899124
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 133mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 39W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 72nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.81nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.77pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 91pF |
商品概述
SuperFET MOSFET是第一代高压超结（SJ）MOSFET系列产品，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET MOSFET非常适用于开关电源应用，如功率因数校正（PFC）、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源和工业电源应用。
商品特性
- 700 V @ TJ = 150°C
- 典型RDS(on) = 133 mΩ
- 超低栅极电荷(典型Qg = 72 nC)
- 低有效输出电容(典型Coss(eff.) = 361 pF)
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电信/服务器电源 - 太阳能逆变器
- 计算机电源 - 平板电视电源/照明