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FCPF13N60NT
1个N沟道 耐压:600V 电流:13A
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- 描述
- SupreMOS® MOSFET是采用深槽填充工艺的下一代高压超结（SJ）技术产品，这使其有别于传统的超结MOSFET。这项先进技术和精确的工艺控制实现了最低的比导通电阻（Rsp）、卓越的开关性能和高可靠性。SupreMOS MOSFET适用于高频开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源和工业电源应用
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCPF13N60NT
- 商品编号
- C899123
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.19克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@10V,6.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 116W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.765nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SuperFET MOSFET是第一代高压超结（SJ）MOSFET产品系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET MOSFET非常适合用于开关电源应用，如功率因数校正（PFC）、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源和工业电源应用。
商品特性
- 650 V @ TJ = 150°C
- 典型RDS(on) = 220 mΩ
- 超低栅极电荷（典型Qg = 55 nC）
- 低有效输出电容（典型Coss(eff.) = 110 pF）
- 100%经过雪崩测试
应用领域
- 太阳能逆变器-交流-直流电源