- 引脚图
- 焊盘图
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FCI25N60N-F102
FCI25N60N-F102
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCI25N60N-F102
- 商品编号
- C899116
- 商品封装
- TO-262-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 107mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 216W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 57nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.52nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 103pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
SupreMOS MOSFET是采用深沟槽填充工艺的下一代高压超结(SJ)技术,这使其有别于传统的SJ MOSFET。这种先进的技术和精确的工艺控制可实现极低的Rsp导通电阻、卓越的开关性能和耐用性。SupreMOS MOSFET适用于高频开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源和工业电源应用。
商品特性
- 在 VGS = 10 V、ID = 12.5 A 条件下,RDS(on) = 107 m Ω(典型值)
- 超低栅极电荷(典型值 Qg = 57 nC)
- 低有效输出电容(典型值 Coss(eff.) = 262 pF)
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-太阳能逆变器-交流-直流电源