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FCP36N60N
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 312W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这些是采用MegaFET工艺制造的N沟道功率MOSFET。该工艺采用的特征尺寸接近大规模集成电路（LSI）的尺寸，能够实现硅的最优利用，从而带来卓越的性能。它们专为开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用而设计。这些晶体管可直接由集成电路驱动。
商品特性
- 70A，60V
- 导通电阻rDS(on) = 0.014 Ω
- 温度补偿PSPICE模型
- 峰值电流与脉冲宽度曲线
- 单脉冲UIS额定曲线
- 175°C工作温度
应用领域
- 开关稳压器
- 开关转换器
- 电机驱动器
- 继电器驱动器