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FCP36N60N
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 312W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些是采用MegaFET工艺制造的N沟道功率MOSFET。该工艺采用的特征尺寸接近大规模集成电路（LSI）的尺寸，能够实现硅的最优利用，从而带来卓越的性能。它们专为开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用而设计。这些晶体管可直接由集成电路驱动。
商品特性
- 当VGS = 10 V、ID = 18 A时,RDS(on) = 81 mΩ(典型值)
- 超低栅极电荷(典型值Qg = 86 nC)
- 低有效输出电容(典型值Coss(eff.) = 361 pF)
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-太阳能逆变器-交流-直流电源