温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NVBG060N090SC1
1个N沟道 耐压:900V 电流:5.8A 电流:44A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVBG060N090SC1
- 商品编号
- C898817
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.26克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A；44A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 43mΩ@18V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.6W；211W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款功率MOSFET专为在雪崩和换向模式下承受高能量而设计。其节能设计还提供了具有快速恢复时间的漏源二极管。该器件专为电源、转换器和PWM电机控制中的低压、高速开关应用而设计，特别适用于对二极管速度和换向安全工作区要求苛刻的桥式电路，并能针对意外电压瞬变提供额外的安全裕量。
商品特性
- 典型值:当 VGS = 15 V 时,RDS(on) = 60 m Ω
- 典型值:当 VGS = 18 V 时,RDS(on) = 43 m Ω
- 超低栅极电荷(QG(tot) = 88 nC)
- 低电容高速开关(Coss = 115 pF)
- 100% 雪崩测试
- 结温 TJ = 175℃
- 通过 AEC - Q101 认证,具备生产件批准程序(PPAP)能力
- 该器件无卤化物,符合 RoHS 指令豁免条款 7a,二次互连为无铅 2LI
应用领域
- 汽车车载充电器
- 电动汽车/混合动力汽车的汽车直流 - 直流转换器