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NVBG080N120SC1
1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:30A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVBG080N120SC1
- 商品编号
- C898818
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@20V | |
| 耗散功率(Pd) | 179W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.154nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在将传导损耗降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。 因此，SUPERFET III FAST MOSFET系列有助于缩小各类电源系统的体积并提高系统效率。
商品特性
- 典型RDS(导通) = 80 mΩ
- 超低栅极电荷(典型QG(总) = 56 nC)
- 低有效输出电容(典型Coss = 79 pF)
- 100%雪崩测试
- 通过AEC-Q101认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
- 该器件无卤化物,符合RoHS指令豁免条款7a,二级互连(2LI)无铅
应用领域
- 汽车车载充电器
- 电动汽车/混合动力汽车(EV/HEV)用汽车直流-直流转换器