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NVBG160N120SC1
1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:19.5A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVBG160N120SC1
- 商品编号
- C898819
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.82克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 19.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@20V | |
| 耗散功率(Pd) | 136W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 678pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.87pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench®工艺制造，该工艺在保持卓越开关性能的同时，将导通电阻降至最低。
商品特性
- 典型 RDS(on) = 160 m Ω
- 超低栅极电荷(典型 QG(\texttot) = 33.8 , \textnC )
- 低有效输出电容(典型 Coss = 50.7 pF )
- 100% 雪崩测试
- 通过 AEC-Q101 认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
- 该器件无卤化物,符合 RoHS 指令豁免条款 7a,二级互连(2LI)无铅
应用领域
- 汽车车载充电器
- 电动汽车/混合动力汽车(EV/HEV)的汽车 DC-DC 转换器