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NTBS9D0N10MC
1个N沟道 耐压:100V 电流:14A 60A
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- 描述
- 特性：低导通电阻（RDS(on)），以最小化传导损耗。 低栅极电荷（QG）和电容，以最小化驱动损耗。 降低开关噪声/电磁干扰。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，且符合RoHS标准。应用：电动工具、电池供电的吸尘器。 无人机、物料搬运
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTBS9D0N10MC
- 商品编号
- C898808
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.71克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A；60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.8mΩ@10V,23A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.8W；68W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.695nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
这些N沟道功率MOSFET采用创新的UltraFET工艺制造。这种先进的工艺技术可在单位硅面积上实现尽可能低的导通电阻，从而带来出色的性能。该器件能够在雪崩模式下承受高能量，其二极管具有极低的反向恢复时间和存储电荷。它专为对电源效率要求较高的应用而设计，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关，以及便携式和电池供电产品的电源管理。
商品特性
- 60A、55V
- 仿真模型
- 温度补偿的PSPICE和SABER模型
- 可在网上获取SPICE和SABER热阻抗模型
- 峰值电流与脉冲宽度曲线
- UIS额定曲线
应用领域
- 开关稳压器-开关转换器-电机驱动器-继电器驱动器-低压总线开关-便携式和电池供电产品的电源管理