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NVBG020N120SC1
1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:98A
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- 描述
- 特性：Typ. RDS(on) = 20 mΩ。 超低栅极电荷：Typ. QG(tot) = 220 nC。 低有效输出电容：Typ. Coss = 258 pF。 100%雪崩测试。 AEC-Q101合格且具备PPAP能力。 该器件无卤化物，符合RoHS指令豁免条款7a，二级互连无铅。应用：汽车车载充电器。 电动汽车/混合动力汽车的汽车DC-DC转换器
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVBG020N120SC1
- 商品编号
- C898815
- 商品封装
- D2PAK-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.28克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 98A | |
| 耗散功率(Pd) | 468W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 220nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.943nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 24pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 258pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ |
优惠活动
购买数量
(800个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个800个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单
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