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NTP360N80S3Z
1个N沟道 耐压:800V 电流:13A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTP360N80S3Z
- 商品编号
- C898810
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 96W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.143nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
800 V SUPERFET III MOSFET是安森美半导体的高性能MOSFET系列,提供800 V的击穿电压。 全新的800 V SUPERFET III MOSFET针对反激式转换器的初级开关进行了优化,凭借其优化设计,在不牺牲EMI性能的前提下,可降低开关损耗和管壳温度。此外,内部齐纳二极管显著提高了ESD能力。 这一全新的800 V SUPERFET III MOSFET系列在开关电源应用(如笔记本电脑适配器、音频、照明、ATX电源和工业电源)中表现卓越,能够实现更高效、更紧凑、更低温且更可靠的应用。
商品特性
- 典型 RDS(on) = 300 mΩ
- 超低栅极电荷(典型 Qg = 25.3 nC)
- 输出电容中存储的能量低(在400 V时,Eoss = 2.72 μJ)
- 经过100%雪崩测试
- 采用齐纳二极管提高ESD能力
- 符合RoHS标准
应用领域
-适配器/充电器-LED照明-辅助电源-音频-工业电源